MOS-FET Transistoren...

[Klingelkasper]

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Bearbeitet 11. März 2005 von Klingelkasper

[karoo]

Safe-Operating-Area muss eingehalten werden. In den Datenblättern findet sich ein Diagramm, wieviel Strom bei wieviel Spannung bei welcher Impulsdauer zulässig ist. Dann musst du "nur" noch wissen was so ne Zündung an Impulsen durchschickt.

Das Gate fungiert in dem Fall als Kondensator, solange die Spannung des Gatekondensators hoch ist leitet der MOSFET. Du brauchst also eine Möglichkeit die Ladung abfließen zu lassen, da kümmert sich der MOSFET nicht drum. Es gibt verschiedene Optokoppler-Ausgangsstufen, da schaust am besten mal Datenblätter durch.

Oder du verwendest einfach einen MOSFET-Treiberbaustein. Der nimmt dir die wesentlichen Aufgaben einfach ab... und kann wenn du was Trennung angeht etwas paranoid bist locker hinter nen Optokoppler gehängt werden.

Aber warum verwendest du nicht ganz einfach einen Thyristor? Was spricht da deiner Meinung nach dagegen? Die Dinger sind robust, billig, schnell genug, einfach anzusteuern etc... Das is in dem Bereich zurecht das absolute Standardteil.

Bearbeitet 21. Oktober 2004 von karoo

[Klingelkasper]

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Bearbeitet 11. März 2005 von Klingelkasper

[karoo]

Alles klar, bei ner Transistorzündung geht na klar kein Thyristor... ich bin einfach von ner CDI ausgegangen weil das der Zündungstyp aller "elektronischen" Vespa-Zündungen ist... wusste ja nicht was du da genau vorhast

Einen IGBT funktioniert genauso wie ein bipolarer Transistor (also konst. Spannungsabfall im normalen Betriebsbereich), hat aber ein isoliertes spannungsgesteuertes Gate wie ein MOSFET. Spannungsabfall ist meist etwas höher als beim bipolaren. Aber auch die bipolaren haben bei zündungstauglichen Auslegungen mehr als 0,7V und brauchen sehr hohe Basisströme. Trotzdem könnte man mit IGBT/bipolar bei hohen Strömen durch die Zündspule eventuell gegen die MOSFETs ankommen... Kannst ja mal anfangen einige Beispiele durchzurechnen. Bei ner voll geladenen 1 Ohm-Spule komme ich mit 1,5V Spannungsabfall z.B. auf unter 0,3 Ohm.

Dann viel Spaß beim Wälzen von Datenblättern und Auslegen der Schaltung

[karoo]

Wieso meinst du Überspannungsprobleme am Gate zu haben? Ich seh da kein wensentliches Problem... das Gate ist ja nicht mit dem Stromkreis durch Source/Drain verbunden.

Durch die Überspannungsbegrenzung zwischen Spule und Transistor geht denke ich auch kaum was verloren... kannst ja eventuell mal gegentesten, sehr hoch spannungsfester MOSFET gegen weniger hoch spannungsfestes mit auf niedererem Niveau begrenzter Spannung... niederer = 400V natürlich

Bearbeitet 22. Oktober 2004 von karoo

[da Huber is]

Elektor und ELV haben da in den 90ern fertige schaltungen gehabt. Alternativ gibt es ja von Bosch die Module mit einem Hallgeber. Da kann man ja als Endstufe benutzen.

Den Überspannungsschutz kriegs ja mit Z-Diden hin. Bin nach einigen selbstbauversuchen dann Bei Silent Hektik hängengeblieben. Etwas info ist hier zum nachlesen. auch gut ist die Triplesparktechnik, welche ich bei Dragsterfahrern seit den 80ern kenn. Die Technik haut bei meiner Guzzi merklich hin..

Bearbeitet 22. Oktober 2004 von da Huber is

[Klingelkasper]

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Bearbeitet 11. März 2005 von Klingelkasper

[da Huber is]

schalten die Mosfets bei 5V voll durch, da gibt es unterschiede

[karoo]

Ich bin zwar alles andere als ein Elektronikgenie (also alle Angaben ohne Gewähr), aber hier mal mein Senf dazu: Durch den Spannungsteiler R2/R3 kriegt dein Doppeltransistor nur die halbe mögliche Spannung ab. Dadurch kann er auch das Gate des MOSFETs nur mit halber Spannung ansteuern (der Emitter-Anschluss ist ans Gate angeschlossen, der Emitter kann aber nicht positiver werden als die Basis). Daher würde ich für R3 ca. 50 Ohm und für R2 ca. 1kOhm vorschlagen.

Ein weiteres Problem sind die Spannungsabfälle die unweigerlich überall auftreten. Deine ausgewählten Transistoren haben zwar niedrige Sättigungsspannungen, aber herausragend niedrig sind sie eben nur auf der Emitter-Kollektor-Leitung! Zwischen Basis und Emitter brauchen die Transistoren prinzipbedingt eine gewisse Spannung um überhaupt leitend zu werden. Da die Emitter aller bipolaren Transistorstufen nicht auf Masse liegen sondern in die Basis der nächsten Stufe eingehen hast du drei (!) Spannungsabfälle hintereinander. Dadurch steht an den MOSFETs (deutlich) weniger als Batteriespannung an... Kann gehen, muss aber nicht. Vor allem wenn die Batterie nicht top geladen ist glaube ich nicht dass die Schaltung so funktioniert wie sie soll... der MOSFET wird auch bei bester Batteriespannung hart an der Grenze seiner Spezifikation betrieben.

Also bräuchtest du eine andere Beschaltung von T4: Wenn er als Inverterstufe beschaltet wird kann er den Doppeltransistor mit voller Batteriespannung steuern. Du musst dann natürlich invertiert ansteuern.

Aber ich würde mir da gar keinen solchen Streß geben und zu vorgefertigten Bausteinen greifen: Nimm einen fertigen MOSFET-Treiber. Das hat einige Vorteile gegenüber einem eigenen Aufbau: Du sparst einige Bauteile und Leiterbahnen auf deiner Platine, der Treiberbaustein baut auch nicht groß, du hast garantierte Spezifikationen in Bezug auf Schaltzeiten (die ziemlich schnell sind!), Ausgangsstrom, Spannungsabfall bis zum Gate des MOSFETS. Und billig sind sie auch noch. Ich sehe da nichts was man mit einer einfachen eigenen Schaltung besser machen könnte... Welcher Typ genau in Frage kommt muss noch herausgefunden werden, ich habe jetzt nicht tiefer recherchiert. Aber schau dir doch z.B. den TC4427 von Microchip an. Beide Kanäle zusammengenommen hat er einen Ausgangswiderstand von 3.5 Ohm, damit wage ich mal zu behaupten kriegst du die Spannung am Gate des MOSFET in 100-150ns so niedrig, dass er sperrt. Das sollte eigentlich reichen. Es gibt natürlich auch Typen mit noch weniger Widerstand und schnelleren Schaltzeiten.

Bearbeitet 4. November 2004 von karoo

[Klingelkasper]

Danke karoo für den erstklassigen Support .

Bearbeitet 11. März 2005 von Klingelkasper